【kaiyuncom科技动静】近日，据韩媒报导，SK海力士已经将位在韩国清州的M15X新工场（被誉为“HBM4专用工场”）的量产时间表年夜幅提早4个月，规划在来岁2月最先投入用在HBM4的1b纳米制程DRAM量产晶圆，原按时间为6月。早期产能约1万片晶圆，并规划于年末前扩展至数万片范围。今朝，相干出产装备正于抓紧投入与安装。

这一激进举措被遍及解读为SK海力士针对于焦点客户英伟达的需求做出的先发应答。英伟达下一代AI加快器“Rubin”估计将在来岁下半年出货，其机能晋升的要害于在搭载新一代的HBM4内存。SK海力士已经在去年9月率先完成HBM4客户样品开发并交付英伟达，今朝正与英伟达和代工场台积电合作无懈，举行基在进步前辈封装技能CoWoS的体系集成与优化测试，以确保GPU与HBM4于旌旗灯号时序、功耗及散热上的完善协同。

与此同时，全世界HBM市场竞争日益激烈。三星电子也已经向英伟达提供HBM4样品，今朝正处在优化测试阶段；美光则传播鼓吹其来岁HBM4产能已经被全数预订。内存三巨头缭绕英伟达Rubin平台定单的争取已经周全睁开。

据悉，英伟达终极供给商选定和份额分配成果估计将在来岁初揭晓，功耗效率、发烧不变性、良率和年夜范围供给能力将成为要害评估指标。三星电子近期正全力晋升其HBM工艺良率，以期于竞争中博得上风。

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